特許
J-GLOBAL ID：200903039954579246
シリコン化合物薄膜の被覆方法およびそれを用いて得られる物品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-100746
公開番号（公開出願番号）：特開2001-288562
出願日： 2000年04月03日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】真空成膜法により被覆される反射防止膜は、従来高屈折率の膜と低屈折率の膜を積層するいわゆる多層構成で基板上に形成されていた。この膜は内部歪みが大きく、膜と基板との界面で剥離しやすいという課題があった。また、蒸着材料を2種以上必要とした。【解決手段】減圧した雰囲気が調整される成膜室内で、シリコン金属の蒸着材料をアーク放電プラズマの照射により蒸発させ、ガラス板にシリコン化合物薄膜を被覆する。このとき、減圧雰囲気を構成する反応ガスの酸素と窒素のガス比率をシリコン金属の蒸発中に変化させて膜厚方向に屈折率傾斜をつくる。反射率4%のガラス板表面を0.5%に低減する反射防止膜を単層構成で被覆できる。
請求項（抜粋）：
減圧した雰囲気が調整できる成膜装置内で、シリコン金属の蒸着材料をアーク放電プラズマの照射により蒸発させて基板にシリコン化合物薄膜を被覆する方法において、前記減圧雰囲気に導入する酸素と窒素のガス比率を前記シリコン金属の蒸発中に変化させることを特徴とする膜厚方向に屈折率傾斜を有するシリコン化合物薄膜の被覆方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/32 E
, C03C 17/22 Z
4G059AA01
, 4G059AA11
, 4G059AC04
, 4G059EA05
, 4G059EA12
, 4G059EB01
, 4K029AA09
, 4K029BA46
, 4K029BA58
, 4K029BC08
, 4K029CA04
, 4K029DD06
, 4K029EA01
, 4K029EA05
