特許

J-GLOBAL ID：200903039956085100

半導体レーザ

発明者： 平田 照二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268107
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101197
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】ノイズ低減を図れ、高密度化された光ディスク装置等の光源として適用できるインデックスガイド型の半導体レーザを提供する。【解決手段】活性層構造としてバルク構造の代わりに、MQW構造を採用し、そのウェル数を4以上で1つのウェル厚を15nm以下に設定し、テーパストライプの中央部の幅広のストライプ幅w3を7μm、端面付近の幅を4μm以下に設定する。これにより、ノイズレベルが、RINの値で、戻り光量1%程度、数mW出力時で約-120dB〜125dB程度であったものを、約-125dB〜-130dB程度とノイズを低減して、CD等の光ディスク装置だけではなく、光密度化された光ディスク装置、あるいはノイズ低減要求の高いアナログのレーザディスクにも適用できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、導波機構に作りつけの屈折率差を持たず、ストライプ状の電流注入構造を備え、かつ、当該ストライプ幅が中央部で広く、端面付近で狭くなっているテーパ状をなす半導体レーザであって、上記活性層がバルク構造より緩和振動周波数が高い多重量子井戸構造を有する半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 3/18 673 ,  H01S 3/18 677

Fターム (8件)：

5F073AA03 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA04 ,  5F073EA23 ,  5F073EA27