特許
J-GLOBAL ID：200903039959894867
テレフタル酸の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294051
公開番号（公開出願番号）：特開平8-208561
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：
【要約】【課題】 スラリー特性、反応性、粉体流動性等に優れ、ポリエステルの製造に好適な高純度テレフタル酸を取得する。【解決手段】 粗テレフタル酸を水性媒体に溶解させ、260〜320°Cの温度条件下、白金族金属触媒と接触させて精製し、該テレフタル酸の水性溶液からテレフタル酸を直列に接続した複数の晶析槽で段階的に冷却して晶析するに際し、第1晶析帯域における晶析温度を240〜260°Cとし、攪拌翼にて攪拌動力0.4〜10kw/m3 の範囲で攪拌を行い、次いで、第2晶析帯域における晶析温度を180〜230°Cとし、かつ、該晶析温度を第1晶析帯域の晶析温度より20〜60°C低くすることにより晶析を行った後、固液分離し、分離したテレフタル酸結晶粒子を乾燥し、粒径が210μmを越える割合が10重量%以下のテレフタル酸粒子を得ることを特徴とするテレフタル酸の製造方法。
請求項（抜粋）：
粗テレフタル酸を水性媒体に溶解させ、260〜320°Cの温度条件下、白金族金属触媒と接触させて精製し、該テレフタル酸の水性溶液からテレフタル酸を直列に接続した複数の晶析槽で段階的に冷却して晶析するに際し、第1晶析帯域における晶析温度を240〜260°Cとし、攪拌翼にて攪拌動力0.4〜10kw/m3 の範囲で攪拌を行い、次いで、第2晶析帯域における晶析温度を180〜230°Cとし、かつ、該晶析温度を第1晶析帯域の晶析温度より20〜60°C低くすることにより晶析を行った後、固液分離し、分離したテレフタル酸結晶粒子を乾燥し、粒径が210μmを越える割合が10重量%以下のテレフタル酸粒子を得ることを特徴とするテレフタル酸の製造方法。
IPC (10件)：
C07C 63/26
, B01D 9/02 601
, B01D 9/02 602
, B01D 9/02 603
, B01D 9/02 609
, B01D 9/02 611
, B01D 9/02 618
, B01J 23/63
, C07C 51/43
, C07C 51/487
