特許
J-GLOBAL ID：200903039961037459
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-186844
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086119
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 レジストパターンの断面形状を垂直にできるようにして、パターンの微細化と解像度の向上を図る。【構成】 表面上に層間絶縁膜(被加工物)2および配線導体3の形成された半導体基板1上に導電層4を形成し、その上に化学増幅型レジスト層5を設け、所定のパターンを有するマスクを用いて露光し、プロトン101を発生させる。基板上方に、上方電極板21を配置し、上方電極板21-導電層4間に電圧を印加して、プロトン101を移動させ、レジスト層5の架橋を進める[(a)図]。現像し[(b)図]、層間絶縁膜2および導電層4をパターニングする[(c)図]。適宜、導電層4を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に導電層を形成する工程と、前記導電層上に化学増幅型レジスト層を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト層を露光する工程と、前記導電層を一方の電極として前記化学増幅型レジスト層にその膜厚方向に電界を印加する工程と、前記化学増幅型レジスト層を現像する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/38 511
