特許
J-GLOBAL ID：200903039963387180
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-143535
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022353
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 ダイシング工程において生じるチッピングを完全に阻止できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板4の上に半導体チップ2を形成した後、半導体基板4の上における半導体チップ2同士の間のスクライブライン3の表面にホトエッチングにより凹状溝8を形成する。その後、凹状溝8の内部及び半導体チップ2の内部にそれぞれオーミック性金属7B,7Aを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面における半導体チップ同士の間に、上記半導体基板と合金化する金属からなる金属ラインを形成した後、上記半導体基板を切断して上記半導体チップ同士を切り離すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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