特許

J-GLOBAL ID：200903039966202067

炭化珪素体のエッチング方法

発明者： 清水 俊雄 ,  重光 由美
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309327
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161690
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 微細加工の障害になるパーティクルを生じることなく高いエッチングレートで炭化珪素体をエッチングすることが可能な炭化珪素体のエッチング方法を提供しようとするものである。【構成】 真空チャンバ内の電極上に炭化珪素体を配置し、前記チャンバ内にフッ素系ガスと酸素の混合ガスを供給し、前記電極と対向電極の間にプラズマを発生させて前記炭化珪素体をリアクティブイオンエッチングを行う方法において、前記炭化珪素体を前記電極の面積と近似した大きさの石英ガラスまたはシリコンからなる皿に載せた状態で前記電極上に配置することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内の電極上に炭化珪素体を配置し、前記チャンバ内にフッ素系ガスと酸素の混合ガスを供給し、前記電極と対向電極の間にプラズマを発生させて前記炭化珪素体をリアクティブイオンエッチングを行う方法において、前記炭化珪素体を前記電極の面積と近似した大きさの石英ガラスまたはシリコンからなる皿に載せた状態で前記電極上に配置することを特徴とする炭化珪素体のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/78 S