特許

J-GLOBAL ID：200903039973667776

半導体装置の製造方法

発明者： 相宗 史記
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-222390
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069521
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】ドープトシリコン膜が熱処理時に結晶化する際、不純物が隣接するシリサイド膜に拡散して空乏化したり、絶縁膜との界面で偏析したりするのを抑える。【解決手段】ドープトシリコン膜形成時に、シリサイドに隣接する領域の不純物濃度を高くし、絶縁膜に隣接する領域の不純物濃度を低くする。あるいはさらに不純物濃度が変化する所で1nm程度の酸素を吸着させる工程を挿入する。これによりドープトシリコ膜中の不純物が金属シリサイド中に拡散することで空乏化したり、不純物が絶縁膜との界面で偏析し、素子の特性を劣化させたりする減少を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の所定の絶縁膜を被覆してアンドープト非晶質シリコン膜を形成する工程と、第1のドープト非晶質シリコン膜を形成する工程と、熱処理によって多結晶化する工程とを含むドープト多結晶シリコン膜の形成工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不純物ドープト半導体膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-203065   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭60-213046
  
• 特開平4-122022