特許

J-GLOBAL ID：200903039974612606

炭素結晶薄膜の製造方法

発明者： 松永 宏典 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-286647
公開番号（公開出願番号）：特開平5-124894
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：

【要約】臭化ルビジウム(RbBr)、ヨウ化カリウム(KI)またはヨウ化ルビジウム(RbI)の単結晶の(100)面の基板を約10〜60°Cに保持し、カーボン蒸着源(原料;フラーレンC60)を約300〜400°Cに加熱し、真空下でヘテロエピタキシャル成長により、フラーレン結晶(C60)の(100)面配向結晶薄膜を形成することからなる炭素結晶薄膜製造方法に関する。

請求項（抜粋）：

臭化ルビジウム(RbBr)、ヨウ化カリウム(KI)またはヨウ化ルビジウム(RbI)の単結晶の基板を約10〜60°Cに保持し、カーボン蒸着源(原料;フラーレンC60)を約300〜400°Cに加熱し、真空下でヘテロエピタキシャル成長により、前記基板の(100)面にフラーレン結晶(C60)の(100)面配向結晶薄膜を形成することからなる炭素結晶薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/02 ,  C01B 31/02 ,  C30B 23/02