半導体光検出装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155926
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326999
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】半導体光検出装置において光検出感度の向上を図るとともに、暗電流を低減する。【構成】不純物濃度の低いp型シリコン基板1上に不純物濃度の低いp型シリコンゲルマニウム層2を設け、さらにそのp型シリコンゲルマニウム層の上に不純物濃度の高いp型シリコン層3を設けるようにした。【効果】不純物濃度の低いp型シリコンゲルマニウム層と不純物濃度の高いp型シリコン層の接合はp型シリコンゲルマニウム層中の正孔濃度を低下させることなく、正孔の平均自由行程を延ばしうるので、光検出感度が向上する。さらに、不純物濃度の低いp型シリコンゲルマニウム層は不純物をp型シリコン基板へ多量に拡散させることはないため、暗電流を低減できる。

請求項（抜粋）：

不純物濃度の低い半導体基板と、上記半導体基板の主表面上に設けられた、バンドギャップ幅が上記半導体基板よりも小さく、かつその伝導帯下端または価電子帯上端のどちらか一方が上記半導体基板のそれとほぼ一致する材料からなる不純物濃度の低い第1の半導体層と、上記第1の半導体層の主表面上に設けられた、上記半導体基板と同じ材料からなる不純物濃度の高い第2の半導体層とを備えたことを特徴とする半導体光検出装置。

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