特許
J-GLOBAL ID：200903039985521513
窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178998
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007379
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 390nm〜500nmの波長域の光に対する受光感度が改善された受光素子を提供する。【解決手段】 受光素子は、基板と、該基板の上に形成された積層構造と、を備えており、該積層構造が、少なくとも、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層と、該n型窒化ガリウム系化合物半導体層と該p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に配置された受光層と、を有している、窒化ガリウム系化合物半導体受光素子であって、該受光層は量子井戸構造を有しており、該量子井戸構造に含まれる量子井戸層がIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)なる組成を有し、且つ該量子井戸構造に含まれる障壁層がIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y-z</SB>Al<SB>z</SB>N(0≦y<1、0≦z≦1、y+z<1)なる組成を有している。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の上に形成された積層構造と、を備えており、該積層構造が、少なくとも、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層と、該n型窒化ガリウム系化合物半導体層と該p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に配置された受光層と、を有している、窒化ガリウム系化合物半導体受光素子であって、該受光層は量子井戸構造を有しており、該量子井戸構造に含まれる量子井戸層がIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)なる組成を有し、且つ該量子井戸構造に含まれる障壁層がIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y-z</SB>Al<SB>z</SB>N(0≦y<1、0≦z≦1、y+z<1)なる組成を有する、窒化ガリウム系化合物半導体受光素子。
Fターム (13件)：
5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA01
, 5F049NB08
, 5F049QA16
, 5F049QA18
, 5F049SE05
, 5F049SE12
, 5F049SS01
, 5F049SS03
, 5F049SS04
, 5F049WA03
, 5F049WA05
