特許

J-GLOBAL ID：200903039989146547

液相成長法、半導体部材の製造方法、太陽電池の製造方法

発明者： 中川 克己 ,  西田 彰志 ,  米原 隆夫 ,  渡部 国男 ,  坂口 清文 ,  近江 和明 ,  嶋田 哲也
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265673
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089291
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】 高品質なエピタキシャル基板を低コストで製造する。【解決手段】 粗い結晶面を有する基体109の結晶面を、半導体原料に対し未飽和の金属溶液112に接触させた後、半導体原料で過飽和とされた金属溶液114に接触させ、基体の結晶面上に半導体層115を成長させる。この製造方法を用いて、SOI基板、太陽電池の製造方法等で用いられた基体上に半導体層を成長させる。

請求項（抜粋）：

粗い結晶面を有する基体の該結晶面を、半導体原料に対し未飽和の金属溶液に接触させた後、半導体原料で過飽和とされた金属溶液に接触させ、前記基体の前記結晶面上に第1の半導体層を成長させる液相成長法。

IPC (3件)：

C30B 19/02 ,  H01L 21/208 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C30B 19/02 ,  H01L 21/208 D ,  H01L 31/04 X

Fターム (39件)：

4G077AA03 ,  4G077BA01 ,  4G077BA04 ,  4G077BA05 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051BA14 ,  5F051CB02 ,  5F051CB12 ,  5F051CB15 ,  5F051CB29 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA18 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F053AA03 ,  5F053BB25 ,  5F053DD01 ,  5F053DD03 ,  5F053DD05 ,  5F053DD11 ,  5F053DD12 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053KK10 ,  5F053LL05 ,  5F053LL10 ,  5F053PP04 ,  5F053PP06 ,  5F053PP08 ,  5F053PP12 ,  5F053RR03 ,  5F053RR13