特許
J-GLOBAL ID：200903039989925872
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259373
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102151
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法の改良、特に、アルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる配線の形成方法の改良に関し、アルミニウム層またはアルミニウム合金層と反射防止膜との間に相互拡散が発生するのを防止して積層配線相互間のコンタクト抵抗の増加を防ぎ、アルミニウムまたはアルミニウム合金配線の信頼性を向上する方法を提供することを目的とする。【構成】 基板1上にアルミニウム層またはアルミニウム合金層2と反射防止膜4とを順次積層形成し、アルミニウム層またはアルミニウム合金層2と反射防止膜4との積層膜をパターニングして配線を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、アルミニウム層またはアルミニウム合金層2と反射防止膜4との間にアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化膜3を20〜50Å厚に形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
基板(1)上にアルミニウム層またはアルミニウム合金層(2)と反射防止膜(4)とを順次積層形成し、該アルミニウム層またはアルミニウム合金層(2)と反射防止膜(4)との積層膜をパターニングして配線を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記アルミニウム層またはアルミニウム合金層(2)と前記反射防止膜(4)との間にアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化膜(3)を20〜50Å厚に形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/283
