特許
J-GLOBAL ID：200903039999148203
多層配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335137
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202425
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【構成】基板上の少なくとも片面に下地層が形成され、該下地層上に導体層と絶縁層とが交互にそれぞれ2層以上形成された多層配線基板の製造方法において、導体層と絶縁層各層を形成するのに必要なアライメントマークを前記下地層上にすべて(n個,n≧2)形成し、導体層と絶縁層各層を形成する際、少なくとも一つの層で該アライメントマークのうちの(n-1)個以下を使用することを特徴とする多層配線基板の製造方法。【効果】積層の際の位置合わせ(アライメント)が容易かつ正確にできる。
請求項（抜粋）：
基板上の少なくとも片面に下地層が形成され、該下地層上に導体層と絶縁層とが交互にそれぞれ2層以上形成された多層配線基板の製造方法において、導体層と絶縁層各層を形成するのに必要なアライメントマークを前記下地層上にすべて(n個,n≧2)形成し、導体層と絶縁層各層を形成する際、少なくとも一つの層で該アライメントマークのうちの(n-1)個以下を使用することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01L 23/00
, H01L 23/12
