特許

J-GLOBAL ID：200903039999309690

絶縁性樹脂膜およびパワーモジュール

発明者： 神頭 卓司
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (2件)： 川嶋 正章 ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-185016
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021530
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】高充填率で接着剤に混入するのに適したフィラー構造、およびこれを用いた接着剤層およびパワーモジュールを提供する。【解決手段】パワーモジュール10は、半導体チップ11と、ヒートシンク21と、金属配線23と、金属配線23とヒートシンク21との間に設けられた絶縁性樹脂膜26と、半田層14とを備えている。絶縁性樹脂膜26は、接着剤EにフィラーFを混入して形成された第1の接着剤層26aと、第1の接着剤層26aの上面および下面の上に設けられた、実質的に接着剤のみからなる第2の接着剤層26bとを有している。第2の接着剤層26bにより、フィラーFのために接着強度が比較的低い第1の接着剤層26aと被接着面との間の接着強度を高めている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

無機絶縁性材料からなるフィラーおよび接着剤を含む第1の接着剤層と、 前記第1の接着剤層の上面および下面のうち少なくとも一方の面上に形成され、実質的に接着剤のみからなる第2の接着剤層と、 を備えている絶縁性樹脂膜。

IPC (1件)：

H01L 23/36

FI (1件)：

H01L23/36 D

Fターム (19件)：

5F136BA04 ,  5F136BB03 ,  5F136BC02 ,  5F136BC05 ,  5F136BC07 ,  5F136CB06 ,  5F136DA07 ,  5F136DA28 ,  5F136DA41 ,  5F136EA05 ,  5F136EA15 ,  5F136EA23 ,  5F136FA32 ,  5F136FA52 ,  5F136FA63 ,  5F136GA11 ,  5F136GA12 ,  5F136GA13 ,  5F136GA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子用放熱構造体とそれを備えた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-352863   出願人：住友電気工業株式会社