特許

J-GLOBAL ID：200903040000411490

光吸収係数測定方法及び光吸収係数測定装置

発明者： 鮫島 俊之 ,  原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  ダラム パル ゴサイン ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173389
公開番号（公開出願番号）：特開平6-018330
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月25日
要約：

【要約】【目的】 薄膜等の低吸収係数を有する材料に対して、1回の測定で精度よく吸収係数を測定し得る測定方法を提供する。【構成】 基体1上に形成された薄膜2の後方に、高反射率を有する反射体3を配置して、この薄膜2の前方側から光を入射して、薄膜2からの反射光L1 と、この薄膜2を介して反射体3により反射された反射光L2 ′とを測定することによって、薄膜2の光吸収係数を測定する。

請求項（抜粋）：

基体上に形成された薄膜の後方に、高反射率を有する反射体を配置し、上記薄膜の前方側から光を入射して、上記薄膜からの反射光と、上記薄膜を介して上記反射体により反射された反射光とを測定することによって、上記薄膜の光吸収係数を測定する光吸収係数測定方法。

IPC (5件)：

G01J 3/42 ,  G01B 11/06 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/27 ,  H01L 21/66