特許

J-GLOBAL ID：200903040006481482

窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 河 鏡 虎 ,  柳 漢 烈
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-299514
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129236
出願日： 2006年11月02日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

【課題】活性層の劣化が防止された、動作電圧の低い、高出力の可視光波長の窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体板100上に、n-物質層110、n-クラッド層120、n-光導波路層130、活性領域140、p-光導波路層150、金属層160、金属系クラッド層170の順序で積層された構造を有する。金属層及び金属系クラッド層は、リッジ状に形成され、その側面及び外郭領域表面に電流遮断層180が形成され、その上にp-電極層190が備えられている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

活性領域と、 前記活性領域上に形成された光導波路層と、 前記光導波路層上に形成されたリッジ形態の金属層と、 を備えることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343 610

Fターム (10件)：

5F173AA05 ,  5F173AA47 ,  5F173AF25 ,  5F173AF36 ,  5F173AF76 ,  5F173AF94 ,  5F173AH22 ,  5F173AR14 ,  5F173AR23 ,  5F173AR63

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レーザダイオード構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-079581   出願人：ゼロックスコーポレイション
• 窒化物半導体光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-247794   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体レーザ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-176975   出願人：松下電器産業株式会社