半導体製造における金属形状のパターニングのためのシランベース酸化物反射防止膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-584517
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530885
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：

【要約】小さな寸法(たとえば0.18ミクロンまたはそれ未満)および大きなアスペクト比を有する金属配線をパターニングするための反射防止膜で用いるため、約300nmまたはそれ未満の厚みを有するシランベース酸化物(40)が形成される。酸化物(40)は、それが一般的な深紫外フォトレジスト(38)と反応しないように形成される。「足部形成」(18)として知られる反応は、意図された特徴寸法の喪失という結果を生じ得る。この方法の1つの実施例では、シランベース酸化物(40)は、シラン用の非窒素キャリアガスを用いて堆積される。代替的な実施例では、窒素キャリアガスが用いられ、酸化物(40)はその後N2Oプラズマ(2)に露出される。結果として生じる酸化物(40)は、他の酸化物形成法と比較して、低コスト、高スループットおよび欠点の少ないプロセスを用いて作ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板(20)上に形状をパターニングするための方法であって、半導体地形構造の上に酸化物(40)を形成するステップと、亜酸化窒素を用いて形成されたプラズマ(2)に前記酸化物(40)を露出するステップと、前記酸化物層(40)上にフォトレジスト層(42)を形成するステップとを含む、方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , C23C 16/04 , G03F 7/11 503 , H01L 21/316 , H01L 21/3213

FI (5件)：

C23C 16/04 , G03F 7/11 503 , H01L 21/316 X , H01L 21/30 574 , H01L 21/88 D

Fターム (81件)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025DA30 , 2H025DA34 , 4K030AA06 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA05 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH29 , 5F033HH30 , 5F033JJ04 , 5F033JJ19 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK29 , 5F033KK30 , 5F033LL01 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN02 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033QQ02 , 5F033QQ03 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX04 , 5F046PA03 , 5F046PA05 , 5F046PA13 , 5F058BC02 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BH16 , 5F058BJ02

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