特許

J-GLOBAL ID：200903040010688229

光増幅器集積型半導体レーザ及びその駆動方法

発明者： 玉貫 岳正 ,  佐々木 達也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333054
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167758
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 製造において再現性及び歩留まりが高く、駆動方法が容易であり、かつ、短パルスの大出力光が発生できる光増幅器集積型半導体レーザを提供する。【構成】 光増幅装置(1)、DFBレーザ(2)を集積したMOPAの構造であり、n型InP基板(3)上にDFBレーザ(2)用の回折格子(4)が形成され、活性層(6)、p型InPクラッド層(7)、コンタクト層(8)、p型InP層(9)、n型InP層(10)、そしてp側のコンタクト層(8)及びn型InP埋め込み再成長層(10)の表面に、誘電体層(11)、p側電極(12),(13)が形成されており、n側電極(14)、光出射側端面に低反射膜(15)が形成された光増幅器集積型半導体レーザで、その駆動は半導体レーザを短パルス電流で動作させることにより、単パルスの大出力光を発生させるものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも光ガイド層が形成されており、表面にテーパ状電極が形成されている進行波型半導体レーザ光増幅装置と回折格子が形成された半導体レーザが同一基板上に集積されている光増幅器集積型半導体レーザの駆動方法において、前記半導体レーザを短パルス電流で動作させることにより、短パルスの大出力光を発生させることを特徴とする光増幅器集積型半導体レーザの駆動方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-128806   出願人：東京工業大学長
• 特開平4-267384
  
• 特開平2-246632
  
• 特開平4-000783