特許
J-GLOBAL ID：200903040011521751
サーミスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032755
公開番号（公開出願番号）：特開平6-231906
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 焼付け電極層の形成時のガラス層や焼付け電極層の保形性が良好で、ガラス層の表面が平滑で見栄えが良い。はんだ耐熱性及びはんだ付着性に優れ、焼付け電極層のめっき処理による抵抗値の変化がなく、しかも抗折強度が高い。【構成】 サーミスタ10は、サーミスタ素体11と、このサーミスタ素体11の両端面を除く素体表面を被覆する絶縁性ガラス層14と、素体11の両端面を含む両端部に設けられた一対の端子電極12,12とを備える。端子電極12,12が素体11の両端部に形成された焼付け電極層16とこの電極層16の表面に形成されためっき層18,19をそれぞれ有する。ガラス層14の一部又は全部が結晶化ガラスからなり、この結晶化ガラスの前駆体ガラスのガラス転移点が400〜1000°Cの範囲にあって、その結晶化温度が前記ガラス転移点より高い温度であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
サーミスタ素体(11)と、前記サーミスタ素体(11)の両端面を除く素体表面を被覆する絶縁性ガラス層(14)と、前記サーミスタ素体(11)の両端面を含む両端部に設けられた一対の端子電極(12,12)とを備え、前記一対の端子電極(12,12)が前記サーミスタ素体(11)の両端部に形成された焼付け電極層(16)と前記焼付け電極層(16)の表面に形成されためっき層(18,19)をそれぞれ有するサーミスタ(10)において、前記ガラス層(14)の一部又は全部が結晶化ガラスからなり、前記結晶化ガラスを結晶化させるために熱処理する前のガラスのガラス転移点が400〜1000°Cの範囲にあって、その結晶化温度が前記ガラス転移点より高い温度であることを特徴とするサーミスタ。
IPC (3件)：
H01C 7/04
, H01C 1/02
, H01C 17/00
