特許

J-GLOBAL ID：200903040019415136

窒化ガリウム系化合物半導体及びその電極形成方法

発明者： 中村 修二 ,  妹尾 雅之
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039359
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232450
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子の発光出力を向上させるとともに、順方向電圧、順方向電流を下げて実用的な発光素子とする。【構成】 p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体上に、20μm以下の幅を有する電極を付着した後、該窒化ガリウム系化合物半導体を400°C以上でアニーリングすることにより電極を形成する。

請求項（抜粋）：

p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体上に、アニーリングによりオーミックコンタクトされるとともに、20μm以下の幅を有する電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭49-029771
  
• 特開昭49-029770
  
• 特開昭50-042785
  
• 特開昭51-035279