特許
J-GLOBAL ID：200903040021156008
磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-306661
公開番号（公開出願番号）：特開2000-132815
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】センス電流の増加により、再生出力が増加する反面、磁気抵抗効果膜に発生するジュール熱も増加し、素子温度も大幅に上昇し、熱による雑音が多くなりS/N比が低下してしまう。さらに、通電寿命に関しても、素子温度が高くなるに従い、大幅に低下してしまう。【解決手段】上部ギャップ絶縁膜と下部ギャップ絶縁膜の間に、媒体対向面と逆側、磁気抵抗効果膜に接するように保護絶縁膜を形成する。上部,下部ギャップ絶縁膜には、絶縁耐圧の高いAl2O3やSiO2 膜等の酸化物などを用い、保護絶縁膜にはこれらのギャップ絶縁膜よりも熱伝導性の高い材料、例えばAlN,BeO,CN,SiC,BNなどの絶縁膜を用いる。
請求項（抜粋）：
磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノイズを抑止する縦バイアス磁界を印加する一対の磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流す一対の電極とを有する磁気抵抗効果素子が上部ギャップ絶縁膜、及び下部ギャップ絶縁膜を介して、上部シールド及び下部シールドの間に設けられた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下部ギャップ絶縁膜と上部ギャップ絶縁膜との間に保護絶縁膜を備えており、上記保護絶縁膜の少なくとも一部が磁気抵抗効果膜に接しており、かつ、上記保護絶縁膜の熱伝導率が、上部ギャップ絶縁膜及び下部ギャップ絶縁膜の少なくとも一方の熱伝導率よりも高い材料を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Fターム (4件)：
5D034BA15
, 5D034BA17
, 5D034BB01
, 5D034CA02
