特許

J-GLOBAL ID：200903040021397919

半導体素子の製造方法およびその装置

発明者： 西部 徹 ,  日野 隆
出願人/特許権者： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-194598
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041513
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 特性が安定するとともに、工程を簡略化した半導体素子の製造装置を提供する。【解決手段】 ELAチャンバ11内で450°Cで1時間炉アニールした後、エキシマレーザ装置14からのXeClエキシマレーザを照射し、マスクモジュール17のパターンに対応した形状になったビームをa-Si:H膜に照射する。X-Yステージ13の移動によりエキシマレーザの照射された領域のみ多結晶化して多結晶シリコン膜54を形成する。多結晶化していないa-Si:H膜は水素プラズマによりエッチングして除去し、多結晶化された多結晶シリコン膜54のみが残り、水素プラズマ55によりチャネル層の最表面の欠陥が低減する。しきい値などの特性が揃い歩留まりが向上し、工程を簡略化できるのでコストを大幅に低下できる。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコンを選択的に多結晶化する工程と、アモルファスシリコンを選択的に多結晶化した後に不要なアモルファスシリコンを水素プラズマ処理で除去する工程とを具備したことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/268

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 627 B ,  H01L 29/78 627 E