特許
J-GLOBAL ID：200903040022600025
プラズマ処理方法及びその装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109585
公開番号（公開出願番号）：特開平7-320895
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 静電チャックを用いて試料が保持されている場合にも,試料に印加する高周波電圧の調整を可能にしたプラズマ処理方法及びその装置を提供する。【構成】 試料2に実際に印加される高周波電圧は,プラズマの電子密度の変化に依存して変化するので,電子密度の変化に対応させて一定に調整する必要がある。しかし,試料2が静電チャック12により固定されている場合には試料2の電圧を測定することは困難である。そこで,予め試料に印加される高周波電圧の電子密度の変化に対する電圧変化の関係データを明らかにしておくことにより,この関係データを基にしてリアルタイムに測定された電子密度から高周波電圧の制御を行うことができる。電子密度測定手段は,プラズマ源として真空容器内に導入されるマイクロ波の入射波と反射波との位相差から電子密度を演算することができる。
請求項（抜粋）：
真空容器内に配置された載置台上に静電チャックにより試料を固定すると共に,上記載置台に印加された高周波電圧を上記静電チャックを介して上記試料に印加し,上記真空容器内に導入された処理ガスをプラズマ源によりプラズマ化して,該プラズマにより上記試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において,上記プラズマの電子密度をリアルタイムに測定し,測定されたプラズマの電子密度に基づいて上記高周波電圧を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H05H 1/46
, C23C 14/54
, H01L 21/3065
