特許
J-GLOBAL ID：200903040027786232
半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-086241
公開番号（公開出願番号）：特開2005-275654
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】著作権保護機能を有する半導体メモリ装置において、保護機能強化と高速記録を両立させる。【解決手段】ホスト機器100から半導体メモリ装置119に対するコンテンツの伝送/記録と共に行う相互認証の頻度を上げるため、フラッシュメモリ113よりも高速書き込みが可能な強誘電体メモリ等の不揮発性メモリ105を備える。半導体メモリ装置119の主記憶メモリとしてはフラッシュメモリ113を用いる。不揮発性メモリ105に相互認証時に更新記録されるコンテンツ保護情報(タイトル鍵管理情報106,タイトル鍵107)を記録させるため、コンテンツ保護強化の為に相互認証の頻度を高めても、相互認証時のコンテンツ保護情報の更新記録に要する時間的オーバーヘッドが少なくて済み、結果的にコンテンツ保護機能の強化と高速記録との両立が可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくともコンテンツデータを記録する不揮発性メモリと、少なくとも相互認証時に更新記録されるコンテンツ保護情報を記憶する不揮発性RAMと、前記不揮発性メモリ及び不揮発性RAMへのアクセス制御を行う不揮発性メモリ制御部とを備え、
前記不揮発性RAMは、前記不揮発性メモリに比較して、少なくとも小さいデータの単位での書き換え速度が高いことを特徴とする半導体メモリ装置。
IPC (3件)：
G06F12/14
, G10K15/02
, G10L19/00
G06F12/14 540P
, G06F12/14 530C
, G06F12/14 550B
, G10K15/02
, G10L9/00 N
5B017AA07
, 5B017BA07
, 5B017BA10
, 5B017CA11
