特許

J-GLOBAL ID：200903040029005424

透明導電膜、低反射帯電防止膜、及びこれらの製造方法

発明者： 森本 剛 ,  真田 恭宏 ,  平塚 和也 ,  久保田 恵子 ,  阿部 啓介 ,  山田 兼士
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190089
公開番号（公開出願番号）：特開平6-012920
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【構成】SnO2 :Sb微粒子かつ/またはIn2 O3 :Sn微粒子(全固形分量に対し酸化物換算で50〜90重量%)、珪素化合物(2〜40重量%)、In化合物(2〜50重量%)、Sn化合物かつ/またはTi化合物(0.02〜50重量%)含む溶液を塗布して透明導電膜を形成する。次いで低屈折率膜を形成し、2層低反射帯電防止膜を形成する。【効果】真空を要する大がかりな設備を使わず、優れた透明導電膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

SbをドープしたSnO2 微粒子及びSnをドープしたIn2 O3 微粒子のうち少なくとも1種を全固形分量に対し、酸化物換算で50重量%以上90重量%以下、珪素化合物を全固形分量に対し、酸化物換算で2重量%以上40重量%以下、In化合物を全固形分量に対し、酸化物換算で2重量%以上50重量%以下、更に、Sn化合物及びTi化合物のうち少なくとも1種を、合計で、全固形分量に対し、酸化物換算で0.02重量%以上50重量%以下含む溶液を塗布した後、加熱かつ/または紫外線を照射することにより得られたことを特徴とする透明導電膜。

IPC (4件)：

H01B 5/14 ,  H01B 1/00 ,  H01B 13/00 503 ,  G02F 1/1343