特許
J-GLOBAL ID：200903040036474863
保持性に優れたパターンの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000609
公開番号（公開出願番号）：特開平9-230608
出願日： 1996年01月08日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 ポジ型レジストから得られるパターンに対して、耐溶剤性、基体との密着性、耐エッチング性、耐熱性などの諸性能を付与し、工業的有利に当該パターンを保持しうる方法を提供する。【解決手段】 それぞれ水素原子1個が置換されたスルホンアミド、カルボン酸アミドおよびウレイドからなる群より選ばれる少なくとも1個の基を有する化合物、キノンジアジド化合物および溶剤を含有してなるポジ型レジスト組成物を基体に塗布したあと、マスクを通して露光し、露光部を現像除去してポジ型パターンを形成させ、次いで形成されたポジ型レジストパターンを加熱硬化させることにより、パターンを作製する。
請求項（抜粋）：
それぞれ水素原子1個が置換されたスルホンアミド、カルボン酸アミドおよびウレイドからなる群より選ばれる少なくとも1個の基を有する化合物、キノンジアジド化合物および溶剤を含有してなるポジ型レジスト組成物を基体に塗布したあと、マスクを通して露光し、該露光部を現像除去してポジ型パターンを形成させ、次いで形成されたポジ型レジストパターンを加熱硬化させることを特徴とするパターンの作製方法。
IPC (4件)：
G03F 7/40 501
, G03F 7/022
, G03F 7/023 511
, H01L 21/027
G03F 7/40 501
, G03F 7/022
, G03F 7/023 511
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 571
