半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016996
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218448
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】プロセスの低温化を図ると共に、高速動作、高性能化を実現した半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に、下層酸化シリコン膜2、窒化シリコン膜3、ゲート電極9となる多結晶シリコン膜4を順に形成した後、窒化シリコン膜3の上層部に、酸素7をイオン注入し、次いで、前記イオン注入後の半導体基板1に、低温熱処理を行い、窒化シリコン膜3の上層部に酸化シリコン膜5を形成させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、下層酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、上層酸化シリコン膜からなる三層構造を有する絶縁膜を介してゲート電極が形成された半導体装置の製造方法において、半導体基板上に、下層酸化シリコン膜を形成する第1工程と、前記下層酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する第2工程と、前記窒化シリコン膜上に、ゲート電極となる膜を形成する第3工程と、前記ゲート電極となる膜が形成された後の窒化シリコン膜の上層部に、酸素をイオン注入する第4工程と、前記イオン注入後の半導体基板に、熱処理を行い、前記窒化シリコン膜の上層部を酸化シリコン膜に変換する第5工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , H01L 21/265 Y , H01L 21/265 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭57-117976
特開昭57-126678

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