特許
J-GLOBAL ID：200903040040461954
SiC単結晶およびその成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098148
公開番号（公開出願番号）：特開平5-262599
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 昇華再結晶法において、種結晶と同じ結晶多形構造を有する良質のSiC単結晶を、大きい成長速度で成長させる方法を提供する。【構成】 昇華再結晶法の種結晶として{0001}面より約60°〜約120°、代表的には約90°の角度α1 だけずれた結晶面を露出させたSiC単結晶からなる種結晶を使用する。さらにこれにより得られるSiC単結晶を、前記種結晶のc軸方向幅の端部を通り、種結晶の露出面に対し角度α1 で交差し、かつ種結晶のc軸に直交する面に沿って切断して、SiC単結晶における種結晶のc軸方向の幅を越えた部分を得ることでより良質で実質的に転位を含まないSiC単結晶を得ることができる。
請求項（抜粋）：
黒鉛製の坩堝内においてSiC原料粉末を不活性気体雰囲気中で加熱昇華させ、原料よりやや低温になっている種結晶のSiC単結晶基板上にSiC単結晶を成長させる昇華法において、種結晶として{0001}面より約60°〜約120°の角度α1 だけずれた結晶面を露出させたSiC単結晶からなる種結晶を使用することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
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