特許
J-GLOBAL ID：200903040043355713
低オン抵抗の高電圧パワーMOSFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-502145
公開番号（公開出願番号）：特表2003-524291
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2003年08月12日
要約：
【要約】第1伝導性タイプの基板(2)を備えたパワーMOSFETが提供される。同様に第1伝導性タイプであるエピタキシャル層(1)が基板上に付着される。第1、第2ボディ領域(5a、6a、5b、6b)がエピタキシャル層内に配置され、両ボディ領域の間にドリフト領域が確定されている。これらのボディ領域は第2伝導性を備えている。第1伝導性タイプの第1、第2ソース領域(7、8)が、第1、第2ボディ領域内にそれぞれ配置される。エピタキシャル層のドリフト領域内にあるボディ領域の下に、複数のトレンチ(44、46)が設けられている。トレンチは、第1、第2ボディ領域から基板へとのびており、第2伝導性タイプのドーパントを含む材料で充填されている。ボディ領域の下に第2伝導性タイプの半導体領域(40、42)を形成するために、ドーパントは、トレンチから、該トレンチ付近のエピタキシャル層の部分内へと拡散される。
請求項（抜粋）：
パワーMOSFETであって、 第1伝導性タイプの基板と、 前記基板上のエピタキシャル層とを有し、前記エピタキシャル層が第1伝導性タイプを備え、 前記エピタキシャル層内に、ドリフト領域を間に備えた第1、第2ボディ領域をさらに有し、前記ボディ領域が第2伝導性タイプを備え、 前記第1、第2ボディ領域内にそれぞれ配置された前記第1伝導性タイプの第1、第2ソース領域と、 前記エピタキシャル層の前記ドリフト領域内にある前記ボディ領域の下に複数のトレンチとをさらに有し、前記トレンチが、前記第2伝導性のドーパントを含んだ材料で充填され、前記トレンチが、前記第1、第2ボディ領域から前記基板へとのびており、前記ドーパントが、前記トレンチから、前記トレンチ付近の前記エピタキシャル層の部分内へ拡散されることを特徴とするパワーMOSFET。
引用特許：
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