特許
J-GLOBAL ID：200903040055058102
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015721
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232068
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 低温で高高率な不純物濃度領域の作成を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板上に形成された半導体薄膜を3族元素あるいは5族元素を含む不純物ガスのプラズマ雰囲気中に維持し、前記半導体薄膜にエネルギービームの照射を行い前記プラズマ雰囲気中に含まれる不純物イオンの注入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体層を3族元素あるいは5族元素を含む不純物ガスのプラズマ雰囲気中に維持し、前記半導体層にエネルギービームの照射を行い前記プラズマ雰囲気中に含まれる不純物イオンの注入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/22
, H01L 21/336
, H01L 29/784
