特許
J-GLOBAL ID：200903040055445114
軟磁性薄膜形成用スパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-023673
公開番号（公開出願番号）：特開平8-218164
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：
【要約】【目的】小形化および高性能化を図ることを可能とした平面型磁気素子などに使用される軟磁性薄膜における、高飽和磁化と高抵抗率を両立させると共に、磁化困難軸励磁による高周波透磁率の獲得を容易にした軟磁性薄膜を形成するための軟磁性薄膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【構成】軟磁性薄膜形成用スパッタリングターゲットは、一体として見た場合に、一般式:(Fe<SB>1-x</SB> Co<SB>x</SB> )<SB>1-y</SB> (B<SB>1-z</SB> X<SB>z</SB> )<SB>y</SB> (式中、xはIVb族元素,N,Pから選ばれる1種または2種以上の元素を示し、x,y,zはそれぞれ0≦x≦0.5 ,0.06<y<0.5 ,0<z<1を満足する数である)よりなる組成よりなる。
請求項（抜粋）：
一体として見た場合に、下記一般式:(Fe<SB>1-x</SB> Co<SB>x</SB> )<SB>1-y</SB> (B<SB>1-z</SB> X<SB>z</SB> )<SB>y</SB> (式中、xはIVb族元素,N,Pから選ばれる1種または2種以上の元素を示し、x,y,zはそれぞれ0≦x≦0.5 ,0.06<y<0.5 ,0<z<1を満足する数である)よりなる組成よりなることを特徴とする軟磁性薄膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (6件)：
C23C 14/34
, C22C 19/07
, C22C 38/00 303
, C22C 38/10
, C23C 14/14
, H01F 41/18
C23C 14/34 A
, C22C 19/07 C
, C22C 38/00 303 S
, C22C 38/10
, C23C 14/14 F
, H01F 41/18
