特許
J-GLOBAL ID：200903040056780634
回路パターン形成済シリコン基板のエッチング装置およびエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239338
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068452
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 機械研削後のシリコン基板のマイクロクラック導入層を除去してシリコン基板の強度を向上させることができる回路パターン形成済シリコン基板のエッチング装置およびエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 対向して配置された上部電極6および下部電極3に基板7を裏面を対向させた姿勢でそれぞれ保持させ、上部電極6と下部電極3の間の電極間距離L[m]と処理室5内に供給されるプラズマ発生用の酸素とフッ素係ガスを含む混合ガスの圧力P[Pa]の積PLが、2.5[Pa・m]〜15[Pa・m]の範囲の値となる条件下で、第1電極および第2電極との間でプラズマ放電を行う。これにより、基板7の裏面のマイクロクラック導入層を効率よく除去して、シリコン基板の強度を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
表面に回路パターンが形成されたシリコン基板の裏面をエッチングする回路パターン形成済シリコン基板のエッチング装置であって、処理室内に対向して配置され前記シリコン基板の裏面を対向させた姿勢でそれぞれ保持する第1電極および第2電極と、第1電極および第2電極をそれぞれ冷却する冷却手段と、前記処理室内に酸素とフッ素系ガスを含む混合ガスを供給するガス供給手段と、第1電極と第2電極との間に高周波電圧を印加する高周波電源とを備え、前記第1電極および第2電極との間の電極間距離L[m]と前記処理室内の混合ガスの圧力P[Pa]の積PLが、2.5[Pa・m]〜15[Pa・m]の範囲の値となる条件下で、第1電極および第2電極との間でプラズマ放電を行うことを特徴とする回路パターン形成済シリコン基板のエッチング装置。
Fターム (19件)：
5F004AA07
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA07
, 5F004BB11
, 5F004BB17
, 5F004BB18
, 5F004BB21
, 5F004BB25
, 5F004CA02
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA02
, 5F004DA03
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA19
, 5F004DA26
, 5F004DB01
