特許

J-GLOBAL ID：200903040059253066

半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置

発明者： 玉石 正幸 ,  香西 博 ,  伊藤 嘉之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-148083
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083827
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 1つのサブマウント上に2つのレーザーチップを高い位置精度で、狭いピッチにてボンディングする半導体レーザー装置を製造するための方法および装置を提供する。【解決手段】 2つのチップを中間ステージにおいて外形認識し、位置補正した後にサブマウントにボンディングを行うボンディングステージ上でコレットを電極にしチップに電圧をかけ、それぞれ2つのチップを発光させて発光点データを基に最終位置補正を行いボンディングする。コレットをチップ表面に対して斜めに配置することによって、狭いピッチにて2つのチップをボンディングすることができる。

請求項（抜粋）：

2つの半導体レーザーチップが1つのサブマウントにダイボンドされた半導体レーザー装置の製造方法であって、中間ステージに半導体レーザーチップを置く工程と、サブマウント上で該半導体レーザーチップを発光させ発光点位置を計測する工程と、該サブマウントの所定の位置に該半導体レーザーチップを定点搬送する工程とを含む半導体レーザーチップの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

H01L 21/52 F ,  H01S 5/022

Fターム (9件)：

5F047AA19 ,  5F047CA08 ,  5F047FA14 ,  5F047FA73 ,  5F047FA83 ,  5F073FA23 ,  5F073FA30 ,  5F073HA04 ,  5F073HA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-067793
  
• 半導体レーザ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-134545   出願人：シャープ株式会社