特許

J-GLOBAL ID：200903040063342120

非質量分離型イオン注入装置

発明者： 高橋 睦也 ,  曳地 丈人
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095446
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293279
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 前記実情に鑑みてなされたもので、メンテナンスに多大な労力をさくことなく、スループットを向上させることのできる非質量分離型イオン注入装置を提供する。【構成】 本発明の特徴は、イオン源チャンバー10と、前記イオン源チャンバー内にプラズマ領域を生成するプラズマ発生手段と、前記プラズマ領域内にドーピングガスを供給し、イオンを発生するイオン発生手段と、被処理基板を設置した処理部と、前記イオン発生手段で生成されたイオンを加速して、前記被処理基板上に導くことによりイオン注入を行う加速手段とを具備した非質量分離型イオン注入装置において、前記イオン源チャンバー内壁を所望の温度に加熱する加熱手段1とを具備したことにある。

請求項（抜粋）：

イオン源チャンバーと、前記イオン源チャンバー内にプラズマ領域を生成するプラズマ発生手段と、前記プラズマ領域内にドーピングガスを供給し、イオンを発生するイオン発生手段と、被処理基板を設置した処理部と、前記イオン発生手段で生成されたイオンを加速して、前記被処理基板上に導くことによりイオン注入を行う加速手段と、前記イオン源チャンバー内壁を所望の温度に加熱する加熱手段とを具備したことを特徴とする非質量分離型イオン注入装置。

IPC (5件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 616 A