特許
J-GLOBAL ID:200903040063471620

半導体装置およびその実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶原 辰也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-348146
公開番号(公開出願番号):特開2000-174186
出願日: 1998年12月08日
公開日(公表日): 2000年06月23日
要約:
【要約】【課題】 実装作業性や実装基板の配線密度の低下を回避し放熱性能を高める。【解決手段】 BGA・LSI1はチップ10がCCBされた配線基板20と、配線基板20に被せられた放熱フィン30と、放熱フィン30とチップ10との間に形成された熱伝導材層19と、放熱フィン30の下面に突設されて配線基板20の上面に当接されたストッパ33と、放熱フィン30と配線基板20とを連結したリーフスプリング35と備えており、配線基板20を実装基板40に半田バンプによる接続端子45によってCCBされている。【効果】 放熱フィンは配線基板にストッパで位置決めされているため、熱伝導材層の厚さは常に一定に維持され、熱伝導材層の熱伝導性能は安定するため、所期の放熱性能が常に確保される実装基板に孔明け加工を施さなくて済むため、実装作業性の低下や実装基板の配線密度の低下を回避できる。
請求項(抜粋):
半導体チップが機械的かつ電気的に接続されている配線基板と、この配線基板に被せられている放熱体と、この放熱体と前記半導体チップとの間に形成されている熱伝導性を有した熱伝導材層と、前記放熱体の下面に突設されて前記配線基板の上面に当接されているストッパと、前記放熱体と前記配線基板とを連結する連結手段とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/40 ,  H01L 23/34
FI (2件):
H01L 23/40 Z ,  H01L 23/34 A
Fターム (5件):
5F036AA01 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21 ,  5F036BC09 ,  5F036BC33

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