特許

J-GLOBAL ID：200903040064970175

磁気抵抗効果素子、磁気記録装置及び磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： 岸 均 ,  菊地 英幸 ,  小林 和雄 ,  北出 康博 ,  小田切 充
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086702
公開番号（公開出願番号）：特開平8-129722
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】磁性層と銀膜を含む非磁性金属層とが積層されて磁場の変化を素子の抵抗率の変化に変換する磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、耐熱性が高く、大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。【構成】基板1上に、各層間に非磁性金属層4を挟んで配置される複数の磁性層3a,3bと、一つの磁性層3bと隣接し、その磁性層3bに一定方向の磁化を付与するバイアス磁性層5とを積層する磁気抵抗効果素子の製造方法において、成膜すべき非磁性金属層4の膜厚を設定し、非磁性金属層4にピンホールが生じない成膜温度の上限以下の温度範囲に基板1の温度を保持した状態で非磁性金属層4を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に磁性層と非磁性金属層とを積層する磁気抵抗効果素子の製造方法において、成膜すべき前記非磁性金属層の膜厚を設定し、該非磁性金属層にピンホールが生じない成膜温度の上限以下の温度範囲に前記基板の温度を保持した状態で前記非磁性金属層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果型磁気ヘツドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224346   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-236470
  
• 特開平4-236470
  
• 特開平4-236470