特許
J-GLOBAL ID：200903040071970083
ナノチューブ膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
池田 治幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100019
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293522
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：
【要約】【課題】高特性のナノチューブ膜および工程が簡単で製造コストの低いナノチューブ膜の製造方法を提供する。【解決手段】真空熱処理工程において、基板24が例えば10-2(Pa)の圧力下において1700(°C)程度の温度で10時間程度に亘って加熱されることから、その表層部の珪素除去層28は次第に厚くなるが、この厚くなった珪素除去層28は、上層部がナノチューブ層38に保たれる一方、下層部が乱れた炭素層34となる。そのため、この炭素層34を構成する炭素の結合力はナノチューブ12を構成する六員環の結合力よりも遙かに小さいことから、続く酸化熱処理工程においてこの基板24を大気中で加熱すると、その珪素除去層28のうち炭素層34が優先的に分解され、基板24からナノチューブ層38が分離されてナノチューブ膜10が得られる。したがって、簡単且つ低い製造コストでナノチューブ膜10を製造することができる。
請求項（抜粋）：
一面からそれに平行な他面に向かう一方向に沿って伸びる複数本のカーボン・ナノチューブがその円筒状の外周面で相互に結合されて成る自立したナノチューブ膜であって、前記複数本のナノチューブの各々が前記一面側の一端側から前記他面側の他端側まで炭素の六員環が滑らかに連続する組織で構成されたことを特徴とするナノチューブ膜。
IPC (3件)：
C01B 31/02 101
, B82B 1/00
, B82B 3/00
C01B 31/02 101 F
, B82B 1/00
, B82B 3/00
4G046CA00
, 4G046CB03
, 4G046CC02
, 4G046CC03
, 4G046CC06
