特許

J-GLOBAL ID：200903040072299300

コンデンサの製造方法

発明者： 岩下 晃
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-027391
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217146
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 下部電極、誘電体層、上部電極と積層し、上部電極と下部電極との間のマイグレーションの発生を抑えることができるコンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板2の上に、下部電極3を被着形成し、この上に誘電体層4、5を誘電体ペーストの印刷法により塗布乾燥し、焼成した後、前記誘電体層5上に誘電体層6となる誘電体膜を塗布、乾燥し、さらにこの上に上部電極7となる電極パターンを印刷乾燥した後、誘電体膜と電極パターンとを同時焼成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板に被着形成した下部電極上に、第1の及び第2の誘電体層、前記下部電極に対向する上部電極を夫々積層して成るコンデンサの製造方法であって、前記絶縁基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上に誘電体ペーストを塗布乾燥するとともに焼成処理して第1の誘電体層を形成する工程と、前記第1の誘電体層上に誘電体ペーストを塗布乾燥して未焼成状態の第2の誘電体層を形成する工程と、前記未焼成状態の第2の誘電体層上に、導電性ペーストの印刷・塗布により、前記下部電極に対向する上部電極となる導体膜を形成する工程と、前記未焼成状態の第2の誘電体層及び前記上部電極となる導体膜とを同時焼成する工程と、からなるコンデンサの製造方法。

IPC (2件)：

H01G 4/33 ,  H01G 4/18 324

FI (2件)：

H01G 4/18 324 Z ,  H01G 4/06 101

Fターム (19件)：

5E082AB03 ,  5E082BC38 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082EE35 ,  5E082FF15 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082HH26 ,  5E082HH43 ,  5E082KK01 ,  5E082LL01 ,  5E082LL03 ,  5E082LL35 ,  5E082MM24