特許
J-GLOBAL ID：200903040080653929
ウエーハの結合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227210
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069952
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 2枚の厚さの異なるウエーハ同士、または2枚の薄物ウエーハ同士を重ね合わせて結合するに際して、ウエーハ結合面におけるボイド発生を防止する。【構成】 OF3付きのベースウエーハ1を、切欠き部12を形成した固定部材11上に、OF3が切欠き部を跨がるように固定する。切欠き部の幅はOFの長さより狭くする。真空ピンセット21の吸着部22は、直径を前記幅より小さくし、かつ切欠き部の奥行きより小さくする。OF4付きのボンドウエーハ2のOF近傍部を吸着部22で吸着し、吸着部を降下させて切欠き部の真上に位置決めすることによりウエーハ1,2のOF側の外周端部同士を接触させた後、真空ピンセットによりボンドウエーハを軽く押圧しながら、真空ピンセットの吸着を解除してウエーハ1,2を重ね合わせる。
請求項（抜粋）：
少なくとも片面が鏡面仕上げされ、厚さは異なるが形状および直径が同一の2枚のウエーハを、これらの輪郭線を合致させた状態で、かつ前記鏡面仕上げ面同士を重ね合わせて結合する方法であって、支持体となるウエーハ(以下、ベースウエーハという)を、適宜寸法・形状の切欠き部を外周部に形成した固定部材上に、結合面を上方に向け、かつ該ベースウエーハの外周端近傍部を前記切欠き部の真上に位置させて前記固定部材により支持した状態で固定し、半導体素子を形成する層となるウエーハ(以下、ボンドウエーハという)における結合面と反対面の外周端近傍部を、吸着部の吸着面が前記切欠き部より小さい真空ピンセットで吸着し、該真空ピンセットを降下させて、前記吸着部を前記切欠き部の真上に位置させることにより、ボンドウエーハの結合面における真空ピンセットの吸着部直下近傍の外周端部を、ベースウエーハの結合面における前記切欠き部の真上の外周端部に接触させるとともに、該接触部と反対側に位置する外周端部ではこれらのウエーハ間に適宜寸法の隙間をあけた状態とし、該状態で前記真空ピンセットの吸着を解除し、ボンドウエーハを、その自重によりベースウエーハに重ね合わせて結合することを特徴とするウエーハの結合方法。
IPC (2件)：
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