特許
J-GLOBAL ID：200903040084660652
電子および/または光子構成部品の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014450
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263818
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 少なくとも1つの集積電気光学機能および/または光子機能を現わす部品を製作する。【構成】 ドーピングされたSiOxの少なくとも1つの誘電体層をIII/V族の材料系の量子井戸層上に堆積せしめ,また生成する標本を熱処理する。前記誘電体層の厚さ,ドープ剤の性質(等電子,活性化またはブロッキング,および/またはn型またはp型の電気的に活性な性質),およびドーピングの濃度,ならびにまた熱処理条件により,所望の電気光学および/または光子的性質をその部品に付与する。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの集積電気光学および/または光子機能を現わす構成部品を製造する方法に於いて、少なくとも1つの誘電体層をIII/v族系の量子井戸層上に堆積し、また生成した標本を熱処理することと、その誘電体層がドーピングされたSiOx(xは、]0,2]の範囲内にある)の層であり、前記層の厚さと、そのドーピングの性質および濃度と、熱処理の条件とが、量子井戸層のその領域の禁止帯エネルギーをシフトする方法で選択され、量子井戸層上に誘電体層を堆積して前記機能に対応する電気光学的性質および/または光子的性質を前記領域に付与することを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 29/06
, H01L 29/66
