特許
J-GLOBAL ID：200903040086401670
磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-096118
公開番号（公開出願番号）：特開2000-076844
出願日： 1999年04月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 磁性薄膜の反磁界を無くし、記録の安定性を高め、情報保存の安定性の高い高集積化可能な磁性薄膜メモリ素子を提供する。【解決手段】 円筒型又は角筒型で低い保磁力を有する第1磁性層1と円筒型又は角筒型で高い保磁力を有する第2磁性層2が非磁性層3を介して積層された磁気抵抗膜であって、左回りもしくは右回りに容易軸を有する磁気抵抗膜、及び、磁気抵抗膜に絶縁体を介して設けられた良導体からなる書込み選択線4を有してなり、磁気抵抗膜に膜面と垂直な方向に電流を流して生じる磁界と、書込み選択線4に電流を流して生じる磁界とで、第1磁性層1もしくは第2磁性層2の磁化方向が決定されることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子、及び記録再生方法。
請求項（抜粋）：
円筒型あるいは角形筒状型で低い保磁力を有する第1磁性層と円筒型あるいは角形筒状型で高い保磁力を有する第2磁性層が非磁性層を介して積層されてなる磁気抵抗膜であって、該第1磁性層及び該第2磁性層は左回りもしくは右回りに容易軸を有する磁気抵抗膜、及び、該磁気抵抗膜に絶縁体を介して設けられた良導体からなる書込み選択線を有してなり、該磁気抵抗膜に膜面と垂直な方向に電流を流して生じる磁界と、該書込み選択線に電流を流して生じる磁界とで、第1磁性層もしくは第2磁性層の磁化方向が決定されることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/15
, H04N 5/782 Z
