特許

J-GLOBAL ID：200903040087375657

電流センサ

発明者： 遠藤 みち子 ,  清水 信吉 ,  倉島 茂美 ,  丹治 成生
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277211
公開番号（公開出願番号）：特開平6-130088
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 本発明は電流センサに関し、コアのギャップと磁気抵抗素子との位置合わせに多少のずれがあっても特性に影響のない電流センサを実現することを目的とする。【構成】 電流により磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発生手段により発生した磁界を集束する磁界集束手段と、強磁性膜よりなる磁気抵抗素子を用いた磁界検出手段とを具備して成る電流センサにおいて、上記磁気抵抗素子12には強磁性薄膜よりなる磁気抵抗パターン18と、その両脇に磁性体を配置することにより設けた集磁部21,21′とからなるものを用い、磁界集束手段には円環状の一部にギャップ13を有する磁性体のコア11を用い、該磁界集束手段にコイル状に磁界発生手段を配置し、且つ該磁界発生手段のギャップ13の両端を前記磁気抵抗素子12の集磁部21,21′に接触、または近接して配設するように構成する。

請求項（抜粋）：

電流により磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発生手段により発生した磁界を集束する磁界集束手段と、強磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子を用いた磁界検出手段とを具備して成る電流センサにおいて、上記磁気抵抗素子(12)には強磁性薄膜よりなる磁気抵抗パターン(18)と、その両脇に磁性体を配置することにより設けた集磁部(21,21′)とからなるものを用い、磁界集束手段には円環状の一部にギャップ(13)を有する磁性体のコア(11)を用い、該磁界集束手段にコイル状に磁界発生手段を配置し、且つ該磁界集束手段のギャップ(13)の両端を前記磁気抵抗素子(12)の集磁部(21,21′)に接触、または近接するように配設したことを特徴とする電流センサ。

IPC (2件)：

G01R 15/02 ,  H01L 43/08