特許

J-GLOBAL ID：200903040088892779

可変波長半導体レーザ装置

発明者： 阪田 康隆 ,  山口 昌幸 ,  佐々木 達也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200733
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251817
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】二重導波路(TTG)型可変波長半導体レーザ装置の活性層、中間層およびチューニング層の各々のストライプ形状を高い精度および高い均一性で形成する。【構成】一つの導電型の半導体基板の表面に互いに重なり合って形成されたストライプの形の活性層、反対導電型の中間層、およびチューニング層を含む可変波長二重導波路(TTG)型可変波長半導体レーザ装置の製造方法において、そのレーザ内部における電流経路/光導波路の限定のための半導体素子加工をエッチング工程によることなく、Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)選択成長工程によって行なうことを特徴とする。【効果】レーザ光の散乱を回避でき、駆動電力・レーザ光出力変換効率および光ファイバーとの結合効率を高めることができる。また、上記中間層を薄くできるので制御可能なレーザの波長の幅を広げることができる。

請求項（抜粋）：

一つの導電型の表面半導体層を有する半導体基板の上に互いに重なって形成されたストライプの形の活性層、反対導電型の中間層、およびチューニング層を含むTTG型可変波長半導体レーザ装置の製造方法において、前記半導体基板を用意する工程と、この基板の前記表面半導体層の表面に回析格子を形成する工程と、前記回析格子を形成した前記表面半導体層の表面に前記ストライプの形の開口を有するストライプ開口マスクを形成する工程と、前記開口を通じて前記チューニング層、前記中間層および前記活性層を選択的にエピキタシアル成長させ前記ストライプの形の積層体を形成する工程と、前記ストライプ開口マスクを除去する工程と、前記積層体の上面にエピキタシアル成長阻止のための阻止マスクを形成する工程と、前記阻止マスクから露出している前記積層体の表面に反対導電型の埋合せ半導体層をエピキタシアル成長させる工程と、前記活性層の上およびその近傍の前記埋合せ半導体層表面にクラッド層を選択的にエピタキシアル成長させる工程とを含むことを特徴とするTTG型可変波長半導体レーザ装置の製造方法。