特許

J-GLOBAL ID：200903040093541054

半導体ウェハー

発明者： 宮脇 良誠
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237946
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084731
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】ウェハー裏面からの不純物等による汚染とこすれによるごみの発生を防止する。【構成】ウェハーの裏面をエッチングして溝2を形成し、凹型形状とする。

請求項（抜粋）：

ウェハー裏面が凹型形状に形成されていることを特徴とする半導体ウェハー。