特許
J-GLOBAL ID:200903040095131422

プラズマ処理装置及びその制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-048108
公開番号(公開出願番号):特開平8-250293
出願日: 1995年03月08日
公開日(公表日): 1996年09月27日
要約:
【要約】【目的】プラズマ処理装置の内部に耐プラズマ壁を設け、耐プラズマ壁の温度を制御することにより、プラズマ処理特性の安定化を図る。【構成】耐プラズマ壁(8)を透過しにくい遠赤外線(9)で加熱制御する。遠赤外線(9)は処理室内壁に設けたアルミナなどの遠赤外線放射材料からなる皮膜より放射される。皮膜の温度制御は、処理室ブロックの温度調節により実施し、その制御用温度は赤外線温度計(12)(20)によりシリコン製窓(19)を通して測定された耐プラズマ壁(8)の温度とした。【効果】本発明により、耐プラズマ壁の温度制御が高精度で可能となったため、プラズマ処理が安定化する。歩留まり、稼働率向上が図れる。
請求項(抜粋):
プラズマを用いて被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理装置のプラズマ処理室の内部に該処理室壁面に近接して石英あるいはアルミナなどの絶縁材料から成る内部壁面部材あるいは該絶縁部材を金属部材に被覆した内部壁面部材を設置し、該内部壁面部材の温度を該プラズマ処理室の内壁面に形成した遠赤外線を放射し易い材料から放射される遠赤外線によって加熱制御するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
FI (3件):
H05H 1/46 A ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B

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