特許

J-GLOBAL ID：200903040097921668

高圧発生用共振型電源回路の動作方法

発明者： 今村 宣明
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086425
公開番号（公開出願番号）：特開2000-341946
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 ダンパー期間の終わりから次にスイッチオンする期間での不要パルス発生を抑制する高圧発生用共振型電源回路の動作方法を提供する。【解決手段】 MOS FET11のオン時に駆動電源3から一次コイル2、MOS FET11を通る経路で電流を流し、フライバックトランス1の一次コイル2に電磁エネルギを蓄積する。MOS FET11のオフ時に一次コイル2と共振コンデンサ6のLC直列共振によってフライバックパルスを発生する。フライバックパルスの発生後のダンパー期間の終りから次にMOS FET11がオンするまでの期間を休止期間とする。この休止期間では、MOS FET11の寄生容量の電荷が一次コイル2側へ移るのをダイオード26によって防止し、この寄生容量と一次コイル2とのLC直列共振に起因して休止期間に発生する不要パルスを抑制する。

請求項（抜粋）：

フライバックトランスの一次側に該フライバックトランスの一次コイルに接続される駆動電源と、前記一次コイルに流れる電流をオン・オフ制御するスイッチ素子としてのMOS FETと、このMOS FETのオフ時に一次コイルとの直列共振によってフライバックパルスを発生する共振コンデンサとを備え、前記MOS FETのオン期間に駆動電源から一次コイルと前記MOS FETを通る経路で電流を流して一次コイルに電磁エネルギを蓄積し、前記MOS FETのオフ時に前記一次コイルと共振コンデンサとの直列共振によってフライバックパルスを発生させ、このフライバックパルスの電圧をフライバックトランスで昇圧し二次側から整流出力する高圧発生用共振型電源回路の動作方法において、前記一次コイルに流れる電流をオン・オフ制御するスイッチ素子を前記1個のMOS FETによって構成し、この1個のMOS FETのオン期間をスイッチオンのタイミングの可変によりパルス幅制御することによって、MOS FETのオフ時に発生するフライバックパルスの波高値を制御し、前記フライバックパルスの発生後のダンパー期間の終わりから前記MOS FETの次のオン期間の始まりの間に休止期間を設け、この休止期間にMOS FETの寄生容量の電荷が一次コイル側へ移動するのを阻止して、MOS FETの寄生容量とフライバックトランスの一次コイル間の直列共振に起因して休止期間に発生する不要パルスを抑制することを特徴とする高圧発生用共振型電源回路の動作方法。

IPC (2件)：

H02M 3/28 ,  H04N 3/18

FI (2件)：

H02M 3/28 Q ,  H04N 3/18 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 共振型電源回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-026083   出願人：株式会社村田製作所