特許
J-GLOBAL ID：200903040099978446
投影露光装置および該装置を用いた半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-114161
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297615
出願日： 1998年04月09日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 露光を実際に行うことなく、簡素な機構により投影光学系の残存コマ収差量を精度良く計測する。【解決手段】 投影光学系の残存コマ収差量を計測するためのコマ収差計測系を備えている。コマ収差計測系は、投影光学系の結像面に形成される計測用パターンの空間像とナイフエッジパターンとを計測方向に沿って相対移動させ、計測用パターンの空間像の強度分布を検出する。そして、得られた強度分布を信号処理することにより計測用パターンの空間像の絶対位置ズレを算出し、算出した絶対位置ズレに基づいて投影光学系の残存コマ収差量を検出する。
請求項（抜粋）：
マスクを照明するための照明光学系と、前記マスクに形成された転写用パターンの像を感光性基板上に投影するための投影光学系と、該投影光学系の残存コマ収差量を計測するためのコマ収差計測系とを備えた投影露光装置において、前記コマ収差計測系は、前記投影光学系の結像面に位置決めされ、計測方向と交差する方向に沿ったエッジラインを有するナイフエッジパターンが形成された計測部材と、前記計測方向に沿った複数の計測用パターンを有する基準部材が前記投影光学系の物体面に設定されることにより、前記投影光学系の結像面に形成される前記各計測用パターンの空間像からの光を前記ナイフエッジパターンを介して検出するための光電検出手段と、前記投影光学系の結像面に形成される前記各計測用パターンの空間像と前記ナイフエッジパターンとを前記計測方向に沿って相対移動させるための相対移動手段と、前記相対移動手段により前記各計測用パターンの空間像と前記ナイフエッジパターンとを相対移動させたときの前記光電検出手段からの光量変化情報に基づいて、前記計測用パターンの空間像の強度分布を前記各計測用パターン毎に検出するための強度分布検出手段と、前記強度分布検出手段で得られた強度分布を信号処理することにより前記各計測用パターンの位置ズレを算出し、算出した前記位置ズレに基づいて前記投影光学系の残存コマ収差量を検出するための処理系とを備えていることを特徴とする投影露光装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 516 A
, G03F 9/00 H
, H01L 21/30 515 D
