特許
J-GLOBAL ID：200903040099997211

静電容量型圧力センサ及びその製造方法

発明者：
宮下 治三

宮下 治三 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-083900
公開番号（公開出願番号）：特開2005-274175
出願日： 2004年03月23日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】温度特性に優れ、種々の厚さのダイヤフラムを有する静電容量型圧力センサを、簡略な工程で歩留まり良く作製できる製造方法を提供する。また、振動による誤差がなく、動特性に優れたサーボ式のセンサを提供する。【解決手段】 シリコン層、埋込酸化層及びベースシリコン層からなるSOI基板のシリコン層に溝を形成する工程と、容量電極を備えた第1絶縁体基板とシリコン層とを、容量電極が溝内に収まるように接合して圧力基準室を形成する工程と、ベースシリコン層を全てエッチング除去する工程と、シリコン層をエッチングしてダイヤフラムを形成する工程と、シリコン層とサーボ電極を備えた第2絶縁体基板を接合する工程と、を含むことを特徴とする。さらに、シリコン層は15〜200μmとし、または、ダイヤフラム及びサーボ電極を平坦構造としたことを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
容量電極を備えた第1絶縁体層と、該容量電極に対向する位置にダイヤフラムを備えたシリコン層と、該ダイヤフラムへ気体を導入する通気口を備えた第2絶縁体層と、が積層された静電容量型圧力センサの製造方法において、 シリコン層、埋込酸化層及びベースシリコン層からなるSOI基板の該シリコン層に圧力基準室用の溝を形成する工程と、 前記容量電極が形成された絶縁体基板と前記シリコン層とを、前記容量電極が前記溝内に収まるように接合して圧力基準室を形成する工程と、 前記ベースシリコン層を全てエッチング除去する工程と、 前記シリコン層をエッチングして所定の厚さの前記ダイヤフラムを形成する工程と、 前記シリコン層と前記通気口が形成された絶縁体基板とを接合する工程と、 を含むことを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。
IPC (2件)：
G01L9/00 ,  H01L29/84
FI (2件)：
G01L9/00 305B ,  H01L29/84 Z
Fターム (20件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA11 ,  4M112DA04 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA13 ,  4M112EA18 ,  4M112FA05 ,  4M112FA07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM