特許
J-GLOBAL ID：200903040100324471

薄膜磁気素子

発明者：
斎藤 明

斎藤 明 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043607
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243048
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 薄膜磁気素子の構成要素の構造を改良して、インダクタンス以外の電気的成分の影響を低減し、損失を低減可能な薄膜磁気素子を実現すること。【構成】 薄膜トランス10の基板106の表面側に形成されたスパイラル状の1次コイル101および2次コイル102において、配線部101aと配線部102aとは、半径方向への形成周期の位相が異なるスパイラル形状を有し、配線部同士の位置が完全にずれて、互いに対向していない。このため、配線部101a(1次コイル101)と配線部102a(2次コイル102)との間に寄生する寄生キャパシタの容量が極めて小さい。
請求項（抜粋）：
基板の表面側に、その基板面方向にスパイラル状に形成された導電性材料からなる第1の薄膜コイルと、この薄膜コイルに絶縁膜を介して前記基板面方向にスパイラル状に形成された導電性材料からなる第2の薄膜コイルと、を有する薄膜磁気素子において、前記第1の薄膜コイルと前記第2の薄膜コイルとは、前記基板面に対する占有領域が略同位置である一方で、互いに前記基板面方向にずれた状態で周回していることを特徴とする薄膜磁気素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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