特許

J-GLOBAL ID：200903040101518385

非プラズマ式チャンバクリーニング法

発明者： ドーンフェスト チャールズ ,  チャウ ジュン ,  シャン メイ ,  シンハ アショック ,  カステル エギール
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-179886
公開番号（公開出願番号）：特開平10-072672
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 PFCガスを用いないCVDその他のタイプのプロセスチャンバをクリーニングするための方法及び装置。【解決手段】 不活性なキャリアガスで希釈した分子弗素(F2)を、処理チャンバ内に導入し、チャンバをクリーニングする。具体例の1つでは、本発明の方法は、チャンバの少なくとも一部を400°C以上の温度に加熱し、希釈F2ガスをチャンバ内に導入し、チャンバ圧力を1〜100トール又はそれ以上のレベルに設定する。チャンバの少なくとも一部を400°C以上に加熱することにより、希釈F2ガスから反応性を有するフリーな弗素を生成し、希釈F2ガスとチャンバ内の堆積物の間に熱反応を生じさせて、チャンバその他の所望しない堆積物が蓄積している領域から堆積物をエッチングにより取り去る。

請求項（抜粋）：

基板処理操作で基板処理チャンバの内側に蓄積した粒子や残留物を除去する方法であって、(a)基板処理操作の終了後に、分子弗素(F2)と不活性なガスとを備えるエッチャントガスを前記チャンバ内に導入するステップと、(b)前記チャンバの少なくとも一部を400°C以上の温度に加熱して、前記エッチャントガスを前記粒子及び前記残留物と反応させて、前記チャンバ内に蓄積した前記粒子及び前記残留物を低減するステップとを有する方法。

IPC (7件)：

C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341

FI (7件)：

C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/302 P